Óxidos ferroeléctricos para dispostivos de energía y memoria

El grupo de Óxidos ferroeléctricos para dispositivos de energía y memoria (FOXEM) tiene como objetivo desarrollar nuevos materiales ferroeléctricos de alta calidad compatibles industrialmente para estudiar sus propiedades desde un nivel fundamental hasta un nivel de dispositivo. La industria electrónica se enfrenta a varios cuellos de botella para sostener la creciente demanda y necesidad de nuevos dispositivos de comunicación, computación y almacenamiento de datos. Se necesitan nuevos materiales y los materiales ferroeléctricos compatibles con CMOS basados en HfO2 están en el punto de mira. Investigamos películas delgadas epitaxiales de estos óxidos como sistemas modelo para comprender y, eventualmente, mejorar las propiedades ferroeléctricas. Nuestras actividades involucran estudios de crecimiento, estructurales, caracterización avanzada de propiedades eléctricas y prototipado de dispositivos de memoria convencionales y emergentes.