- Áreas de investigación
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- Ciencia y Tecnologías Físicas, Matemáticas, Robótica y Computación
- Grupo
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- Consultoría y Calidad y Seguridad y Difusión
- TIC, Análisis Computacional y Matemático y Cartográfico
- Subgroup
-
- Calidad
- Informática, Electrónica y Procesado
Single-events effects (SEE) tests by pulsed-laser technique
| Support unit | Support unit Information | Selected service | Other services |
|---|---|---|---|
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SOPORTE TÉCNICO AL DISEÑO Y TEST DE CIRCUITOS INTEGRADOS IMSE-CNM - Sevilla |
Service general data
- Support unit: SOPORTE TÉCNICO AL DISEÑO Y TEST DE CIRCUITOS INTEGRADOS
- Institute: INSTITUTO DE MICROELECTRONICA DE SEVILLA
- Locality: Sevilla (Sevilla)
- Service's web: http://www.imse-cnm.csic.es
El área de especialización del Instituto de Microelectrónica de Sevilla (IMSE) es el diseño y test de circuitos integrados analógicos y de señal mixta en tecnología CMOS, así como su uso en diferentes contextos de aplicación como radiofrecuencia, microsistemas o conversión de datos. Con más de 25 años de experiencia y un consolidado prestigio en Europa, el IMSE ofrece a otros organismos de investigación y empresas la posibilidad de uso de sus instalaciones y equipamiento, así como el know-how de su personal técnico y científico, para el test de dispositivos micro-nanoelectrónicos. Las áreas específicas de aplicación del servicio comprenden la caracterización de prototipos de dispositivos semiconductores y circuitos integrados para aplicaciones de señal mixta, radiofrecuencia, opto-electrónica y espacio, test de producción de pequeñas series, estudios de compatibilidad electromagnética y diseño de placas de test para prototipos de señal mixta de altas prestaciones.
Single-events effects (SEE) tests by pulsed-laser technique
Benefit description
Electronic devices in space, defense, and medical systems are exposed to various types of radiation, including high-energy photons and high-energy particles (electrons, protons, neutrons, and ions). The radiation may produce effects that may be manifested as long-term parameter degradation (Total Ionization Dose or TID effects) or as transient changes in the state of the circuits (transient effects). While the total-dose hardness of integrated circuit manufacturing process has generally improved in recent years, primarily because of reductions in gate oxide thicknesses and increases in doping densities, reduced device dimensions have increased sensitivity to transient radiation effects. This service provides the possibility of study Single-Events Effects (SEE) induced by the impact of a high-energy particle in a semiconductor device or circuit using pulsed laser method, which is a powerful and low-cost tool to obtain information about the spatial and temporal dependence of ICs radiation sensitivity. The equipment of the service consists of a very-compact femtosecond PULSBOX PICO-RAD 1064_50 Laser, from PULSCAN, which uses single-photon technique with 1064nm wavelength and a MSO9404A mixed-signal oscilloscope for the output signal acquisition.| Options | Unit | Public Sector | Other customers |
|---|---|---|---|
| Test de eventos simples con laser pulsado | €/día | 926.56 € | 1014.8 € |
Other services
- Caracterización de circuitos y dispositivos RF
- Caracterización funcional mixta de circuitos (ATE)
- Caracterización optoelectrónica de dispositivos y circuitos
- Diseño de circuitos impresos (PCB)
- Estudios de compatibilidad electromagnética (EMC)
- Caracterización de circuitos analógico-digitales de altas prestaciones
- Caracterización eléctrica de dispositivos semiconductores